型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363664820-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSP317P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V439010-99￥8.3160100-499￥7.9002500-999￥7.62301000-1999￥7.60912000-4999￥7.55375000-7499￥7.48447500-9999￥7.4290≥10000￥7.4012 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC750N10NDGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 62 mohm, 10 V, 3 V186510-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-821701-9￥39.723210-99￥37.4440100-249￥35.7509250-499￥35.4904500-999￥35.22991000-2499￥34.93692500-4999￥34.6764≥5000￥34.5136 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC067N06LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.7 V52215-24￥6.385525-49￥5.912550-99￥5.5814100-499￥5.4395500-2499￥5.34492500-4999￥5.22675000-9999￥5.1794≥10000￥5.1084 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8284720-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor565520-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC047N08NS3GATMA1, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装944810-99￥10.5360100-499￥10.0092500-999￥9.65801000-1999￥9.64042000-4999￥9.57025000-7499￥9.48247500-9999￥9.4122≥10000￥9.3770 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 650V 700A 1500000mW Automotive 33Pin Tray762220-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: 双极性晶体管描述: NPN RF-Trans. 15V 75mA SOT89 **85015-24￥2.362525-49￥2.187550-99￥2.0650100-499￥2.0125500-2499￥1.97752500-4999￥1.93385000-9999￥1.9163≥10000￥1.8900 -
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品类: 双极性晶体管描述: Infineon ### 双极晶体管，Infineon996620-49￥0.648050-99￥0.6000100-299￥0.5760300-499￥0.5568500-999￥0.54241000-4999￥0.53285000-9999￥0.5232≥10000￥0.5136 -
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品类: 双极性晶体管描述: INFINEON BFP 193W H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE697520-49￥0.418550-99￥0.3875100-299￥0.3720300-499￥0.3596500-999￥0.35031000-4999￥0.34415000-9999￥0.3379≥10000￥0.3317 -
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品类: 双极性晶体管描述: SiGe 射频双极晶体管，Infineon 来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。 ### 双极晶体管，Infineon6187 -
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品类: 双极性晶体管描述: INFINEON BFP840FESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, 150 hFE6206 -
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品类: 双极性晶体管描述: Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-343 T/R750420-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: 双极性晶体管描述: Trans GP BJT NPN 300V 0.2A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R693110-49￥1.053050-99￥0.9984100-299￥0.9594300-499￥0.9360500-999￥0.91261000-2499￥0.88922500-4999￥0.8541≥5000￥0.8463
